三氯氧磷腐蚀扩散炉-三氯氧磷淬灭方法
本篇文章给大家分享三氯氧磷腐蚀扩散炉,以及三氯氧磷淬灭方法对应的知识点,希望对各位有所帮助。
文章信息一览:
- 1、三氯氧磷和强碱反应
- 2、三氯氧磷腐蚀铁快吗?
- 3、从硅料到太阳能电池片的生产流程,有谁知道
- 4、塑封器件的塑封料用什么腐蚀
- 5、太阳能电池工艺中的扩散工艺为什么在扩散炉里用三氯氧磷
- 6、单晶p型硅片扩散的目的
三氯氧磷和强碱反应
H3PO3 +3NaOH = Na3PO3 + 3H2O。亚磷酸H3PO3,虽然化学式中有3个氢,但是实际上只是二元酸,它有一个氢原子是直接连在P原子上的,不能电离,因此是二元酸。所以说过量的NaOH和它反应只能生成Na2HPO3。亚磷酸是一种无机化合物,化学式为H3PO3,分子量为800。易溶于水和醇。
三氯氧磷加碳酸氢钠的作用加碳酸氢钠是为了起中和反应,增加产物稳定性。
三氯氧磷和水反应的化学方程式为:POCl3+3H2O=H3PO4+3HCl。三氯氧磷是无色液体,有***气味,在潮湿空气中强烈发烟,它不仅可以和水反应,还可以和醇反应。三氯氧磷又称磷酰氯、***,分子式为POCl3,是一种无色透明发烟液体。易挥发,有强烈的***气味。
三氯氧磷在水中与水反应成磷酸和五氯化磷。可以用大量的液碱中和PH值排入废水系统。水与三氯氧磷反应时会产生大量的热和盐酸,注意防护。
三氯氧磷腐蚀铁快吗?
1、快。三氯氧磷有强腐蚀性,在潮湿环境中,可以腐蚀绝大多数金属以及钢,三氯氧磷是一种重要的化工原料,在腐蚀铁需要5分钟,速度极快。
2、有。碳钢对三氯氧磷有反应,具有有腐蚀性。三氯氧磷为无色具有强烈腐蚀性的液体,沸点10摄氏度,在潮湿空气中发烟,有强烈***性,遇水发生剧烈分解。
3、三氯氧磷必须用钢衬塑料是因为三氯氧磷具有强氧化性。三氯氧磷是一种工业化工原料,为无色透明的发烟液体,是带***性臭味和蒜味的液体,在潮湿空气中会剧烈发烟,与水反应水解成磷酸和氯化氢。钢衬塑料是外表层碳钢层,内层聚乙烯塑料层,二层通过中间相嵌龟甲钢网紧密连接的钢塑复合产品。
4、危险特性:遇水猛烈分解,产生大量的热和浓烟,甚至爆炸。具有较强的腐蚀性。燃烧(分解)产物:氯化氢、氧化磷、磷烷。急救措施 皮肤接触:尽快用软纸或棉花等擦去毒物,继之用3%碳酸氢钠液浸泡。然后用水彻底冲洗。就医。眼睛接触:立即提起眼睑,用流动清水或生理盐水冲洗至少15分钟。就医。
5、五氯化磷可以和水剧烈反应放出大量热,生成氯化氢和三氯氧磷,当水过量时,生成氯化氢和磷酸。五氯化磷和乙醇也剧烈反应放出大量热。五氯化磷可以和煤油反应,因此不能保存在煤油中。 五氯化磷加热升华。三氯化磷 三氯化磷,分子式:PCl3。
6、在强酸性溶液中,钢铁会发生析氢腐蚀,铁将氢置换出来。在中性或碱性溶液中,钢铁会发生吸氧腐蚀,氧气将铁氧化。但是必须都是潮湿环境中。金属材料受周围介质的作用而损坏,称为金属腐蚀。金属的锈蚀是最常见的腐蚀形态。
从硅料到太阳能电池片的生产流程,有谁知道
硅片加工工艺流程一般经过晶体生长、切断、外径滚磨、平边、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、包装等阶段。近年来光伏发电和半导体行 业的迅速发展对硅 片的加工提出了更高的要求(图2):一方面为了降*** 造成本,硅片趋向大直径化。另一方面要求硅片有极高的平面度精度和极小 的表面粗糙度。
对多晶硅片而言方块电阻控制在25—35Ω/□ XJ=(0.4—0.45)μ 注意事项﹕因磷扩散系统干燥要求较高,要定期在1个月内处理分子筛,否则容易使扩散产生磷和硅的合金点,影响双结特性。定期一个月处理一次石英管、石英舟、石英钩(根据生产量而定)。
将反射损失减小到5%甚至更小。一个电池所能提供的电流和电压毕竟有限,于是人们又将很多电池(通常是36个)并联或串联起来使用,形成太阳能光电板。 硅太阳能电池的生产流程 通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350~450μm的高质量硅片上制成的,这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。
塑封器件的塑封料用什么腐蚀
所谓的黑胶也就是环氧塑封料,主要用在IC封装行业。IC封装过程中经常需要对IC进行解剖,用以观察封装后晶粒表面不良。主要用浓硫酸和硝酸腐蚀。准备烧杯一个(能防热)在里面倒入一比二的浓硫酸和硝酸,放在烤炉上加热。然后将IC放入进行腐蚀,一定时间后取出。就能看到里面的晶粒。
是用发烟浓硝酸腐蚀掉塑封料然后用丙酮冲洗,此法相对较慢。根据实际电路板的情况选择方法,通常结合使用。
加热的发烟硝酸或脱水硫酸对塑料有较强的腐蚀作用,但对硅片,铝金属化层和内引线的腐蚀作用缓慢,操作时合理设定液体流量、流速以及所用酸的选择,综合考虑封装类型,芯片的大小、厚薄等因素,在成功暴露芯片时能保证器件电性性能的完整性。
太阳能电池工艺中的扩散工艺为什么在扩散炉里用三氯氧磷
1、氮气在此系统中不参入反应;只是惰性介质。用氩气更好,但是成本太高。
2、扩散的目的:太阳能电池的基本就够就是一个PN结,而扩散就是为了形成PN结。扩散的原理:太阳能电池一般选用的是P型掺杂的单晶硅片或者是多晶硅片,我们就需要通过扩散在上面形成一个N型的扩散层,从而形成PN结。现在一般***用的都是磷扩散。
3、扩散工艺的目的是形成晶体硅太阳电池的心脏PN结,目前主要扩散方法是应用三氯氧磷液态源扩散。工艺过程中需要在P型硅片中掺杂磷元素,液态源一般是POCl3,POCl3液态源扩散方法具有生产效率较高,方块电阻结均匀等优点。
4、太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换,而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。
单晶p型硅片扩散的目的
形成PN结。扩散目的:对P型硅片表面进行N型掺杂, 形成PN结, ***用三氯氧磷气体携带源的方式引入扩散炉, 最终将反应生成的磷在高温条件下扩散进入硅片表层,形成N型杂质层。
扩散的目的:太阳能电池的基本就够就是一个PN结,而扩散就是为了形成PN结。扩散的原理:太阳能电池一般选用的是P型掺杂的单晶硅片或者是多晶硅片,我们就需要通过扩散在上面形成一个N型的扩散层,从而形成PN结。现在一般***用的都是磷扩散。
扩散工序:将硅片放入高温扩散炉中,通以氮气和POCL3 等气体,在高温下分解后在硅片表面形成P-N 结。扩散制结(p-n结)的目的:在P型硅表面,通过扩散P原子构成p-n结。PN结的形成才使电子和空穴在流动后不再回到原处,这样就形成了电流,用导线将电流引出,就是直流电。
扩散工艺的目的是形成晶体硅太阳电池的心脏PN结,目前主要扩散方法是应用三氯氧磷液态源扩散。工艺过程中需要在P型硅片中掺杂磷元素,液态源一般是POCl3,POCl3液态源扩散方法具有生产效率较高,方块电阻结均匀等优点。
当P型硅和N型硅片放在一起时,它们会形成PN结。在PN结中,P型硅中的空穴和N型硅中的自由电子会发生扩散,形成一个耗尽区域,这使得PN结两侧的电荷分布不均匀。这一特性使得PN结可以用来构建二极管、晶体管等各种半导体器件。
对于单晶硅来说一般***用NaOH加醇的方法腐蚀,利用单晶硅的各向异性腐蚀,在表面形成无数的金字塔结构,碱液的温度约80度,浓度约1~2%,腐蚀时间约15分钟。对于多晶来说,一般***用酸法腐蚀。扩散制结:扩散的目的在于形成PN结。普遍***用磷做n型掺杂。
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